SI3499DV

P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET The SI3499DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI3499DV  

### **Type:**  
Power MOSFET (N-Channel)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI3499DV.

P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET