IC Phoenix logo

Home ›  S  › S24 > SI3495DV

SI3495DV from VIS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

SI3495DV

Manufacturer: VIS

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3495DV VIS 33000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET The SI3495DV is a MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix (VIS)  

### **Part Number:**  
SI3495DV  

### **Description:**  
The SI3495DV is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** -30V  
- **Current Rating (ID):** -5.3A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 85mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Low Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official Vishay Siliconix datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3495DV VISHAY 9000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET The SI3495DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI3495DV  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 80A  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 12mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 30nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI3495DV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance, fast switching, and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips