SI3495DV

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET The SI3495DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI3495DV  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI3495DV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance, fast switching, and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET