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SI3495DV from VIS

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SI3495DV

Manufacturer: VIS

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3495DV VIS 33000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET The SI3495DV is a MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix (VIS)  

### **Part Number:**  
SI3495DV  

### **Description:**  
The SI3495DV is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** -30V  
- **Current Rating (ID):** -5.3A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 85mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Low Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official Vishay Siliconix datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3495DV VISHAY 9000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET The SI3495DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI3495DV  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 80A  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 12mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 30nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI3495DV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance, fast switching, and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET

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