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SI3477DV from VISHAY

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SI3477DV

Manufacturer: VISHAY

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3477DV VISHAY 10000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET The SI3477DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3477DV  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **RDS(on) (Max):** 0.025Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SI3477DV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is strictly factual from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further details.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3477DV VIS 33000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET The part **SI3477DV** is manufactured by **VIS (Vishay Siliconix)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (VIS)  
- **Category:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A  
- **RDS(ON) (Max):** 6.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
The **SI3477DV** is a **30V N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power management applications. It utilizes **TrenchFET® Gen III technology**, providing low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  

### **Features:**
- **Low RDS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for high-current switching** in power supplies and motor control.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in demanding environments.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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