P-Channel 200-V (D-S) MOSFET The SI3475DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3475DV  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 44nC (typ) at V_DS = 15V, V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The SI3475DV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current capability.  
- Avalanche energy rated.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Vishay's datasheet and product documentation.