N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI3460DV-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3460DV-T1  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 45mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI3460DV-T1 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  
- Suitable for load switching, battery protection, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to -5.5A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in power applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Provides improved thermal performance and space-saving design.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Ensures reliability for automotive applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.