N-Channel 20 V (D-S) MOSFET The SI3460DDV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.11 Ω (at V_GS = -10 V, I_D = -5.3 A)  
  - 0.15 Ω (at V_GS = -4.5 V, I_D = -3.5 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V (at I_D = -250 µA)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18 nC (at V_GS = -10 V, V_DS = -30 V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580 pF (at V_DS = -25 V, V_GS = 0 V)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns  
- **Rise Time (t_r):** 35 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45 ns  
- **Fall Time (t_f):** 20 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power management** in applications such as DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **PowerPAK® SO-8 package** offers enhanced thermal performance and compact footprint.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI3460DDV.