IEEE 802.3af PSE INTERFACE AND DC-DC CONTROLLER The SI3460 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50 mΩ (max) at V_GS = -4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10 nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI3460 is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high efficiency in switching applications.  
- Suitable for load switching, battery protection, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Compact SO-8 package for space-constrained applications.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Vishay's official documentation.