N-Channel 60-V (D-S) MOSFET The SI3458DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3458DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -20A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max) at VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 80pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The SI3458DV is a P-channel MOSFET designed for low-voltage applications, offering low on-resistance and high efficiency. It is suitable for power management, load switching, and DC-DC conversion in portable and battery-powered devices.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
For detailed datasheet information, refer to Vishay's official documentation.