SI3457CDV-T1-GE3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The part **SI3457CDV-T1-GE3** is manufactured by **Vishay**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3457CDV-T1-GE3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon  
- **Package:** PowerPAK® SC-70-6L  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.5A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS:** 50mΩ @ -4.5V, 60mΩ @ -2.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SI3457CDV-T1-GE3** is a **P-Channel MOSFET** designed for **power management applications**.  
- It features **low on-resistance (R_DS(ON))** and **high current handling** in a compact **SC-70-6L package**.  
- Suitable for **battery protection, load switching, and DC-DC conversion** in portable electronics.  

### **Features:**
- **Low Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **AEC-Q101 Qualified** (for automotive applications)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Halogen-Free**  

This information is strictly factual and sourced from Vishay's official documentation.

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET