P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3457BDV is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3457BDV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI3457BDV is a P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability.  
- Suitable for switching and amplification in low-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Small Footprint:** Available in a compact PowerPAK® SO-8 package.  
- **ESD Protection:** Enhanced electrostatic discharge robustness.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact application details, refer to the official Vishay datasheet.