N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3456CDV-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3456CDV-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI3456CDV-T1-E3 is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Optimized for power efficiency in compact designs.  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance.  
- RoHS compliant.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official Vishay datasheet.