P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI3447DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3447DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced TrenchFET® Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Optimized for low-voltage drive applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged applications.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC converters, and battery protection circuits.  

This information is strictly based on Vishay's datasheet for the SI3447DV MOSFET.