### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (VIS)  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** -20V  
- **Current Rating (ID):** -5.8A  
- **RDS(ON) (Max):** 0.055Ω @ VGS = -4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V (Max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** TSOP-6  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced TrenchFET® technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Optimized for power management** in portable and battery-powered applications.  
- **Low gate charge** for fast switching performance.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  
- **Suitable for load switching, DC-DC conversion, and power distribution.**  

For detailed datasheets, refer to Vishay Siliconix's official documentation.

**Part Number:** SI3447CDV  

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -7.5A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS:**  
  - 0.045Ω @ -10V  
  - 0.060Ω @ -4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- Advanced trench technology for low R_DS(ON)  
- High power and current handling capability  
- Optimized for power management applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant