P-Channel 12-V (D-S) MOSFET The part **SI3447BDV** is manufactured by **Vishay**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3447BDV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (at V_GS = -4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_A = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The **SI3447BDV** is a **P-Channel MOSFET** designed for **high-efficiency power management** applications.  
- It utilizes **Vishay’s TrenchFET® Gen III technology**, providing **low on-resistance and high switching performance**.  
- Suitable for **load switching, battery protection, and DC-DC conversion** in portable electronics.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ at V_GS = -4.5V  
- **High Current Handling:** -6.3A continuous drain current  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and environmentally friendly  

This information is based solely on Vishay’s official datasheet for the **SI3447BDV** MOSFET.