P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Here are the factual details about the part **SI3445ADV-T1-E3** from the manufacturer **VISHAY**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3445ADV-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon  
- **Package:** PowerPAK® SC-70 (SOT-323)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.1 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 40 mΩ (at V_GS = -4.5 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7 V to -1.5 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SI3445ADV-T1-E3** is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power management, and battery protection circuits.  
- The **PowerPAK® SC-70** package offers a compact footprint, ideal for space-constrained designs.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to -3.7 A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Small Form Factor:** PowerPAK® SC-70 package saves PCB space.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the **SI3445ADV-T1-E3**. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.