N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI3442BDV is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3442BDV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI3442BDV is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, DC-DC conversion, and battery management systems.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Optimized for power efficiency in portable and compact designs  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.