N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI3442BDV-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3442BDV-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 36mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology for low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Compact Package:** PowerPAK® SO-8 for space-constrained designs.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay’s official documentation.