N-Channel 150-V (D-S) MOSFET The SI3440DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3440DV  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 40mΩ at V_GS = 10V  
  - 50mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  

### **Descriptions:**  
- The SI3440DV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-frequency switching.  
- Enhanced thermal performance due to PowerPAK® SO-8 package.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay’s official documentation.