P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI3433DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3433DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Description:**  
The SI3433DV is a P-channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring high efficiency and low on-resistance. It is suitable for power management, load switching, and battery protection circuits.

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- ESD protection  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Vishay's official documentation.