N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3410DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3410DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.052Ω (at V_GS = -4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The SI3410DV is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in portable electronics, battery protection, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- High current-handling capability.  
- Fast switching speed.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay’s official documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3410DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Here are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix (VIS)**  

### **Part Number:**  
- **SI3410DV**  

### **Description:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -18 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45 mΩ (at V_GS = -4.5 V)  
  - 60 mΩ (at V_GS = -2.5 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V (typical)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance and reliability.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is sourced from Vishay Siliconix datasheets and technical documentation.