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SI3200-BS from SILICONLABOR

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15.625ms

SI3200-BS

Manufacturer: SILICONLABOR

DUAL PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH LINE MONITORING

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3200-BS,SI3200BS SILICONLABOR 11088 In Stock

Description and Introduction

DUAL PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH LINE MONITORING The SI3200-BS is a part manufactured by Silicon Labs (Silicon Laboratories).  

**Specifications:**  
- **Manufacturer:** Silicon Labs  
- **Part Number:** SI3200-BS  
- **Type:** Silicon DAA (Direct Access Arrangement)  
- **Applications:** Used in modem and telecommunication interfaces for line isolation and signal conditioning.  
- **Key Features:**  
  - Integrated isolation barrier  
  - Supports worldwide telecom standards  
  - Low power consumption  
  - Programmable line impedance matching  
  - On-chip ringing detection  
  - Supports caller ID functionality  

**Descriptions & Features:**  
- The SI3200-BS is a highly integrated silicon DAA solution designed to replace traditional transformer-based isolation modules in modem applications.  
- It provides galvanic isolation and signal conditioning for telephone line interfaces.  
- The device includes an on-chip DC holding circuit, ring detection, and hybrid functions.  
- It is compliant with global telecom standards, making it suitable for international applications.  
- The SI3200-BS is optimized for low power consumption and supports programmable features for flexible system integration.  

For detailed electrical characteristics and pin configurations, refer to the official Silicon Labs datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3200-BS,SI3200BS 11088 In Stock

Description and Introduction

DUAL PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH LINE MONITORING The SI3200-BS is a silicon-based power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SI3200-BS is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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