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SI2343DS-T1-E3 from SI

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SI2343DS-T1-E3

Manufacturer: SI

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2343DS-T1-E3,SI2343DST1E3 SI 135000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2343DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Part Number:**  
SI2343DS-T1-E3  

### **Type:**  
P-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -15A  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 50mΩ @ VGS = -4.5V  
  - 60mΩ @ VGS = -2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  

### **Package:**  
- **Type:** SOT-23 (TO-236)  
- **Pins:** 3  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- High performance in a compact SOT-23 package  
- Suitable for power management applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Load switching  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2343DS-T1-E3,SI2343DST1E3 VISHAY 3000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2343DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2343DS-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -17A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ @ VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Package:** SOT-23 (3-Lead)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The SI2343DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced power loss  
- High current handling capability  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  
- Optimized for low-voltage applications  
- RoHS compliant  

This information is strictly based on the provided knowledge base.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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