**Part Number:** SI2336DS  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 28mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 2.5V:** 36mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI2336DS is a N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications, offering low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- High current handling capability  
- Optimized for low-voltage drive applications  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

(Source: Vishay datasheet for SI2336DS)