**Part Number:** SI2333DS  

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

**Descriptions and Features:**  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Improves switching efficiency  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards  

(Note: Verify datasheet for exact values in specific conditions.)