### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** -30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** -5.3A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 52mΩ @ -5.3A, -10V  
- **Vgs(th) (Max) @ Id:** -1V @ -250µA  
- **Gate Charge (Qg) @ Vgs:** 13nC @ -10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 750pF @ -15V  
- **Power Dissipation (Max):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package / Case:** SOT-23-3  

### **Descriptions & Features:**  
- **P-Channel Enhancement Mode MOSFET**  
- **Low On-Resistance (Rds(on))** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg)** for improved efficiency in switching applications  
- **Avalanche Energy Rated** for robustness in harsh conditions  
- **Suitable for Power Management, Load Switching, and Battery Protection**  
- **Compact SOT-23-3 Package** for space-constrained applications  

This information is based on Vishay's official datasheet for the **SI2333DDS** MOSFET.