**Part Number:** SI2327DS  

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.045Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2.5V  

**Descriptions:**  
The SI2327DS is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low gate charge  
- Low threshold voltage  
- High-speed switching  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in PowerPAK® SO-8 package  

For detailed application-specific information, refer to the official datasheet from Vishay.