### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 0.055Ω  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -2.5V:** 0.085Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (Typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **P-Channel MOSFET** designed for load switching and power management applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(ON))** for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for high-performance applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package** for enhanced thermal performance and space-saving design.  
- **AEC-Q101 Qualified** for automotive applications.  
- **RoHS Compliant & Halogen-Free** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, DC-DC converters, and battery management systems.