**Part Number:** SI2323CDS  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- **Package:** TO-236AB (SOT-23)  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **AEC-Q101 Qualified** for automotive applications  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, load switching, motor control  

This information is based on VISHAY's datasheet for the SI2323CDS MOSFET.