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SI2319DS-T1-E3 from VISHAY

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SI2319DS-T1-E3

Manufacturer: VISHAY

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2319DS-T1-E3,SI2319DST1E3 VISHAY 360 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET The **SI2319DS-T1-E3** is a MOSFET manufactured by **Vishay**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2319DS-T1-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **RDS(ON) (Max):**  
  - 12mΩ @ VGS = 10V  
  - 15mΩ @ VGS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® 1212-8 (3.3mm x 3.3mm)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications in DC-DC converters, load switches, and battery management.  

### **Features:**  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances switching performance and efficiency.  
- **Low Gate Charge (QG):** Improves high-frequency switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2319DS-T1-E3,SI2319DST1E3 VISHAY 2054 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET The SI2319DS-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (Drain-Source, VDS):** 30V  
- **Current Rating (Drain, ID):** 6.3A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 35mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8 (Small Outline-8)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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