SI2319DS-T1-E3

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET The **SI2319DS-T1-E3** is a MOSFET manufactured by **Vishay**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2319DS-T1-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 12mΩ @ V_GS = 10V  
  - 15mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® 1212-8 (3.3mm x 3.3mm)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications in DC-DC converters, load switches, and battery management.  

### **Features:**  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances switching performance and efficiency.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Improves high-frequency switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET