**Part Number:** SI2314EDS  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Drain Current (ID):** 4.3A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 45mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.65V (min), 1.5V (max)  
- **Package:** PowerPAK® SC-70 (SOT-323)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  

(Source: Vishay datasheet for SI2314EDS)