N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI2312DS-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2312DS-T1  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (max)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact and thermally efficient.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET