SI2312CDS

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET The SI2312CDS is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25 W (Ta = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 50 mΩ (V_GS = -4.5 V)  
  - 60 mΩ (V_GS = -2.5 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7 V to -1.5 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI2312CDS is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High power and current handling capability  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This MOSFET is commonly used in power management, load switching, and DC-DC conversion applications.  

(Source: Vishay datasheet for SI2312CDS.)

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET