SI2312

20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET The SI2312 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4 W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45 mΩ (at V_GS = -4.5 V, I_D = -4.3 A)  
  - 55 mΩ (at V_GS = -2.5 V, I_D = -2.5 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7 V to -1.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5 nC (at V_GS = -4.5 V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SI2312 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is optimized for power management in portable electronics, battery protection circuits, and load switching.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Small Footprint:** Available in SOT-23 package for space-constrained designs.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and switching losses.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  

This information is based solely on Vishay's datasheet for the SI2312 MOSFET.

20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET