SI2308DS

N-Channel 60-V (D-S) Rated MOSFET The SI2308DS is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.2 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -16 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 45 mΩ (max) at V_GS = -4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4 V to -1.5 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI2308DS is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **ESD Protection:** Improves reliability in sensitive circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, load switching, and battery protection circuits.

N-Channel 60-V (D-S) Rated MOSFET