N-Channel 60-V (D-S) MOSFET The SI2308BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2308BDS-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 60mΩ @ V_GS = -4.5V, 85mΩ @ V_GS = -2.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (TO-236-3)  

### **Descriptions:**  
The SI2308BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It is suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion in portable devices.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Small SOT-23 package for space-constrained applications  
- RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET