P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2307DS is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 45mΩ at V_GS = -4.5V  
  - 60mΩ at V_GS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.6V to -1.5V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI2307DS is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-current switching applications.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Compact PowerPAK® SO-8 package for space-saving designs.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to Vishay’s official documentation.

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET