SI2306DS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2306DS is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 60mΩ (at V_GS = -4.5V, I_D = -3.7A)  
  - 75mΩ (at V_GS = -2.5V, I_D = -2.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 9nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI2306DS is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-current switching applications.  
- The PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and reduced footprint.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for battery management, load switching, and DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET