SI2306DS-T1

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2306DS-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 60mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The SI2306DS-T1 is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is commonly used in power management, load switching, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Suitable for portable electronics, power supplies, and DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET