N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2306BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **VIS (Vishay Siliconix)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **R_DS(on) (Max):** 50mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **R_DS(on) (Max):** 60mΩ @ V_GS = -2.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  

This information is strictly based on the provided knowledge base.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2306BDS-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay.  

**Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V (typical)  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for low voltage, high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for power management in portable devices, load switching, and battery protection circuits.  

(Source: Vishay datasheet for SI2306BDS-T1-E3)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET