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SI2303 from

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SI2303

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2303 99000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The SI2303 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -3.7 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -12 A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25 W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50 mΩ (at VGS = -4.5 V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.8 V to -2.5 V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** SOT-23 (TO-236AB)  
- **Pins:** 3  

### **Description:**  
The SI2303 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It is commonly used in load switching, power management, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- Fast switching performance  
- Small SOT-23 package for space-constrained applications  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free options available  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2303 VISHAY 15000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The SI2303 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.2 A (at TC = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -16 A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25 W (at TA = 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50 mΩ (max) at VGS = -4.5 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.4 V to -1.5 V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI2303 is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power management circuits, load switching, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Small Footprint:** Available in SOT-23 package for space-constrained designs.  
- **Enhanced Thermal Performance:** Optimized for reliable operation.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from Vishay's official datasheet for the SI2303 MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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