SI2302CDS-T1-E3

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI2302CDS-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2302CDS-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.6V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  

### **Descriptions:**
- The SI2302CDS-T1-E3 is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications.  
- It is suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion in portable electronics.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Small Form Factor:** SOT-23 package allows for space-saving PCB designs.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET