### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  
- **Technology:** Advanced Trench MOSFET  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching circuits  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards  

This MOSFET is commonly used in power management, load switching, and DC-DC conversion applications.