P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI2301BDS-T1 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2301BDS-T1  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -2.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ @ V_GS = -4.5V, I_D = -2.7A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (TO-236)  

### **Descriptions:**
- The SI2301BDS-T1 is a P-Channel enhancement mode field-effect transistor (FET) designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for power management in portable electronics, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Fast switching speed for improved performance in switching applications.  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Suitable for battery-powered and portable devices.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET