P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET The SI2301BDS-T1-GE3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2301BDS-T1-GE3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **R_DS(ON) (Max):** 50mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (TO-236)  

### **Descriptions:**  
- The SI2301BDS-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for power management in portable electronics, battery protection, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product details.

P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET