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SI2300DS from SIPU

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SI2300DS

Manufacturer: SIPU

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2300DS SIPU 100 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2300DS is a P-channel MOSFET manufactured by SIPU. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -17A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 60mΩ @ VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Description:**  
The SI2300DS is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is commonly used in power management circuits, load switching, and battery protection systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Small SOT-23 package for space-constrained applications  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official SIPU datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI2300DS VISHAY 10000 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2300DS is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.3A (at TC = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -17A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (at TA = 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 50mΩ (at VGS = -4.5V, ID = -4.3A)  
  - 60mΩ (at VGS = -2.5V, ID = -2.5A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 9nC (at VGS = -4.5V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI2300DS is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Compact PowerPAK® SO-8 package for space-saving designs  
- Pb-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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