SI1905BDH-T1-E3

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1905BDH-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix (VIS)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -4.5 V:** 0.045 Ω  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -2.5 V:** 0.070 Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7 V to -2.0 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520 pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110 pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (Typ)  
- **Switching Speed:** Fast  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Yes  

### **Descriptions & Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Optimized for high-speed switching applications.  
- Suitable for power management in portable devices, load switching, and DC-DC converters.  
- Enhanced thermal performance due to PowerPAK® SO-8 package.  
- Lead-free and RoHS-compliant for environmental safety.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET