Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1905BDH-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix (VIS)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -4.5 V:** 0.045 Ω  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -2.5 V:** 0.070 Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7 V to -2.0 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520 pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110 pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (Typ)  
- **Switching Speed:** Fast  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Yes  

### **Descriptions & Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Optimized for high-speed switching applications.  
- Suitable for power management in portable devices, load switching, and DC-DC converters.  
- Enhanced thermal performance due to PowerPAK® SO-8 package.  
- Lead-free and RoHS-compliant for environmental safety.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1905BDH-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1905BDH-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 45mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Operating Junction Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI1905BDH-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-efficiency power applications  
- Fast switching speed  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET