SI1903DL-T1-E3

Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI1903DL-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI1903DL-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Channel Type:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI1903DL-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-speed switching  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations or guidance.

Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET