Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The part **SI1902DL** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1902DL  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.045Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **SI1902DL** is an N-channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high efficiency. It is suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is strictly factual and sourced from Vishay's specifications for the SI1902DL.

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET