Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET The part **SI1563DH** is a **P-Channel MOSFET** manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Drain Current (I_D):** -5.8 A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Package:** **PowerPAK® SO-8**  

### **Descriptions:**
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC conversion  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **AEC-Q101 Qualified** (for automotive applications)  
- **Improved Thermal Performance** due to PowerPAK® package  

This MOSFET is designed for high-performance power switching in various electronic circuits.  

*(Data sourced from Vishay's official documentation.)*

Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET