**Part Number:** SI1555DL-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 20A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 30mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) / 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 45pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI1555DL-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET from Vishay's TrenchFET® Gen III series. It is designed for low-voltage applications requiring high efficiency and low on-resistance.  

**Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for power management in DC-DC converters and load switching  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and battery management systems.